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龙图腾网恭喜中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210633256.0，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用是由刘伟;肖明晶;叶继春;曾俞衡;廖明墩;闫宝杰设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用，包括：低方阻电极区域以及高方阻非电极区域，低方阻电极区域包括：晶体硅衬底；TOPCon结构层，其设置在晶体硅衬底上，其中TOPCon结构层包括隧穿超薄氧化层和设置在隧穿超薄氧化层上的重掺杂非晶硅层；和金属电极层，其设置在重掺杂非晶硅层；高方阻非电极区域包括：晶体硅衬底；钝化层，其设置在晶体硅衬底上；和减反射层，其设置在钝化层上；和隧穿超薄氧化层，其设置在减反射层上。本发明选择性发射极不仅可以提供常规的选择性发射极功能，同时既能够避免激光烧蚀损伤降低效率，又能钝化接触，降低复合电流，从多方面最大限度提升电池效率。

本发明授权一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极，其特征在于，包括：低方阻电极区域以及高方阻非电极区域，其中低方阻电极区域包括：晶体硅衬底；TOPCon结构层，其设置在晶体硅衬底上，其中TOPCon结构层包括隧穿超薄氧化层和设置在隧穿超薄氧化层上的重掺杂非晶硅层；和金属电极层，其设置在重掺杂非晶硅层上；高方阻非电极区域包括：晶体硅衬底；钝化层，其设置在晶体硅衬底上；和减反射层，其设置在钝化层上；和隧穿超薄氧化层，其设置在减反射层上；所述钝化层包括氧化铝层、氧化镓层中的一种或两种；所述减反射层包括氮化硅层、氟化镁层中的一种或两种；所述重掺杂非晶硅层的厚度小于减反射层的厚度；所述晶体硅衬底为具有硼扩散的n型晶体硅衬底。

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