买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜广东伟智创科技有限公司申请的专利基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片及悬膜单元制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115209324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210658720.1，技术领域涉及：H04R19/00；该发明授权基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片及悬膜单元制备方法是由李健;程少帅;曲恒绪;肖清蓉;胡金勇;周政;李亚设计研发完成，并于2022-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片及悬膜单元制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片，包括MEMS芯片基底，所述的MEMS芯片基底上开设有上下贯通的空腔，所述的空腔上安装有由多组悬膜单元串联而成的悬膜体，所述的悬膜体密封覆盖在空腔上，所述的悬膜单元以压电层为基底，分别在压电层上下两面依次叠设金属钼层、氧化硅层和氮化硅层。悬膜体为五边形结构，悬膜体由五个悬膜单元组合拼接而成，每个悬膜单元均呈三角形。本发明采用压电薄膜代替电容，借住压电效应实现零功耗监听，并且设置多组悬膜，将悬膜串联，有效提高对声音的敏感度。

本发明授权基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片及悬膜单元制备方法在权利要求书中公布了：1.一种悬膜单元的制备方法，其特征是：制备基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片中的悬膜单元1，基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片包括MEMS芯片基底2，所述的MEMS芯片基底2上开设有上下贯通的空腔3，所述的空腔3上安装有由多组悬膜单元1串联而成的悬膜体，所述的悬膜体密封覆盖在空腔3上，所述的悬膜单元1以压电层7为基底，分别在压电层7上下两面依次叠设金属钼层6、氧化硅层5和氮化硅层4；所述的悬膜体为五边形结构，悬膜体由五个悬膜单元1组合拼接而成，每个悬膜单元1均呈三角形；制备悬膜单元1步骤如下：步骤一、将硅晶圆进行RCA清洗，并激光打标；步骤二、打标后的硅晶圆投入PECVD设备的生长腔中，生长SiO2Si3N4；步骤三、生长SiO2Si3N4后的硅晶圆涂光刻胶，用涂胶显影机固胶，放入光刻机中按照掩模版一进行光刻，随后进行显影操作，热板固胶；步骤四、磁控溅射生长下极板，即溅射一层金属钼；步骤五、去胶，再次涂胶，并以掩膜版二光刻电极连接区域；步骤六、去胶，再次涂胶，并以掩膜版三光刻压电层生长区域，并用MOCVD设备生长压电层；步骤七、去胶，再次涂胶，并于掩膜版四光刻上极板区域，用磁控溅射生长上极板，即溅射一层金属钼；步骤八、去胶，再次涂胶，并以掩膜版五光刻电极连接区域；步骤九、去胶，再次涂胶，并以掩膜版六光刻保护层区域，用PECVD设备生长氧化硅层；步骤十、去胶，再次涂胶，并以掩膜版7光刻背面悬膜区域；步骤十一、在正反面用PVD设备生长一层金属铝，然后在背面采用深硅刻蚀工艺刻蚀悬膜区域，制备成悬膜单元1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东伟智创科技有限公司，其通讯地址为：528225 广东省佛山市南海区狮山镇广云路仙溪段广东生物医药产业基地一期第一组团C栋一层自编108-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。