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龙图腾网恭喜上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利晶体管寄生电容测试模组、装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115267471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210724562.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权晶体管寄生电容测试模组、装置及方法是由曹成伟;季祥海设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管寄生电容测试模组、装置及方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶体管寄生电容测试模组、装置及方法，该晶体管寄生电容测试模组包括：第一模块和第二模块；第一模块和第二模块均包括待测试晶体管与第一晶体管；待测试晶体管与对应的第一晶体管共用体区以及第一电极，第一电极为漏极或源极；与第一模块不同的是，第二模块中的第一电极对应的端口中的接触孔被去除；第一模块用于确定待测试晶体管的栅极端口电容；第二模块用于确定待测试晶体管的金属层寄生电容和或接触孔寄生电容；其中，栅极端口电容为栅极端口与其他各需考察的端口之间的电容。通过仅去除晶体管接触孔的方式，实现寄生电容的测量，提高了寄生电容测量的准确度。

本发明授权晶体管寄生电容测试模组、装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管寄生电容测试模组，其特征在于，包括：第一模块和第二模块；所述第一模块和第二模块均包括待测试晶体管与第一晶体管；其中，所述待测试晶体管与对应的第一晶体管共用体区以及第一电极，所述第一电极为源极或漏极；除所述第二模块中的第一电极外，每个电极，包括栅极、源极和漏极，通过一接触孔与对应的互联金属连接；所述第二模块中的第一电极对应的端口中的接触孔被去除；所述第一模块用于确定所述待测试晶体管的栅极端口电容；所述第二模块用于确定所述待测试晶体管的金属层寄生电容和或接触孔寄生电容；其中，所述待测试晶体管的栅极端口电容为所述待测试晶体管的栅极端口与所述待测试晶体管的其他端口之间的电容；所述待测试晶体管的金属层寄生电容包括所述待测试晶体管的栅极端口与所述待测试晶体管其他端口的互联金属之间的寄生电容；所述待测试晶体管的接触孔寄生电容为所述待测试晶体管栅极端口与所述待测试晶体管其他端口的接触孔之间的寄生电容，端口包括对应的电极、电极上的接触孔以及对应的互联金属。

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