恭喜上海华力集成电路制造有限公司夏禹获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210766829.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法是由夏禹;董颖;何志斌设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法，属于半导体器件及制造领域。该结构包括：若干检测组；所述检测组两端包括相邻预设间距的第一晶圆连接、M0金属层和第二晶圆连接、以及用于对所述M0金属层进行切割的M0切割结构，其中，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接之间包括预设间距的鳍Fin；所述M0金属层通过金属连线层导出，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接通过第一层金属连线层导出。通过上述结构为WATlevel特别设计了一种晶圆测试用缺陷检测结构，通过在特定位置进行导通测试，从而确定出缺陷鳍Fin是否存在，进而解决相关技术中针对Finmerge异常没有针对性检测手段的问题。
本发明授权一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，该结构包括：若干检测组；所述检测组两端包括相邻预设间距的第一晶圆连接、M0金属层和第二晶圆连接、以及用于对所述M0金属层进行切割的M0切割结构，其中，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接之间包括预设间距的鳍Fin；所述M0金属层通过金属连线层导出，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接通过第一层金属连线层导出；所述M0金属层跨在待测鳍Fin上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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