恭喜电子科技大学巫江获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115173228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210855064.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法是由巫江;赵飞云;任翱博;李妍;唐枝婷设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域，具体为一种垂直腔面发射激光器，解决了现有激光器电流阈值高、斜效率低的问题，激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、第一氧化层、第一有源区、第一空穴阻挡层、第一量子阱插层隧道结、第二氧化层、第二有源区、第二空穴阻挡层、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极，通过在激光器内设置量子阱插层隧道结，并引入含高Al组分的AlGaAs材料形成多层空穴阻挡层，降低了器件串联电阻，增加了载流子隧穿概率和斜线效率，减少隧道结的光吸收。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、第一氧化层、第一有源区、第一空穴阻挡层、第一量子阱插层隧道结、第二氧化层、第二有源区、第二空穴阻挡层、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极，所述量子阱插层隧道结自上而下包括：p型重掺杂AlxGa1-xAs、n型重掺杂GaAs量子阱、n型轻掺杂AlxGa1-xAs，AlxGa1-xAs组分变化范围为：x＝0-0.1，空穴阻挡层为n型轻掺杂的AlxGa1-xAs空穴阻挡层，AlxGa1-xAs组分变化范围为：x＝0.45-0.9。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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