恭喜武汉高芯科技有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉高芯科技有限公司申请的专利一种晶体位错测试装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211356927.X，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种晶体位错测试装置及方法是由黄晟;黄立;何庆波;刘伟华;严冰;余志杰设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体位错测试装置及方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体晶体的结晶性能评价技术领域，具体涉及一种晶片位错测试装置及方法，所述装置包括：上掩板，其上设有多个起光学放大作用的观察透镜；下掩板，设置在上掩板相对一侧；通过观察透镜对处于上掩板和下掩板之间的晶片表面位错进行观测。通过在上掩板设置观察透镜，利用透镜放大作用，不用借助金相显微镜或电子显微镜即可实时观察，提高操作便利性；通过上、下掩板上均设置磁块，使得上掩板相对于下掩板自由旋转，在上下掩板磁块间的磁性作用下，固定限位晶片减少位置偏离，提高晶片固定稳定性，使得特定晶向朝向标识更准确。
本发明授权一种晶体位错测试装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片位错测试装置，其特征在于：所述装置包括：上掩板，其上设有多个起光学放大作用的观察透镜；下掩板，设置在上掩板相对一侧；通过观察透镜对处于上掩板和下掩板之间的晶片表面位错进行观测；所述上掩板上设置上掩板磁块，下掩板上设置下掩板磁块，通过上掩板磁块与下掩板磁块之间的磁力实现上掩板和下掩板的可旋转固定并保持旋转过程中上掩板的中心始终与下掩板的中心重合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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