恭喜东京毅力科创株式会社向山广记获国家专利权
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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理方法和等离子体处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116805579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310255900.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权等离子体处理方法和等离子体处理系统是由向山广记;户村幕树;木原嘉英;高桥笃史;大类贵俊设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理方法和等离子体处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序a，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序b，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序b包括：工序b‑1，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序b‑2，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
本发明授权等离子体处理方法和等离子体处理系统在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括：工序a，提供具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模的基板；以及工序b，对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述工序b包括：工序b-1，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻；以及工序b-2，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第二处理气体不包含含钨气体、或者以比所述第一处理气体中的所述含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体，在所述工序b中，交替重复地进行所述工序b-1和所述工序b-2。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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