恭喜泉州三安半导体科技有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜泉州三安半导体科技有限公司申请的专利倒装发光二极管、LED芯粒及发光装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222621532U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323548067.2，技术领域涉及：H10H20/814；该实用新型倒装发光二极管、LED芯粒及发光装置是由刘飞;徐瑾;石保军;晏尧;刘可设计研发完成，并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装发光二极管、LED芯粒及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种倒装发光二极管、LED芯粒及发光装置，该倒装发光二极管包括：衬底；位于所述衬底正面的半导体叠层，该半导体叠层被分割为若干芯粒，相邻芯粒之间形成划片道；覆盖于所述半导体叠层的上方和侧壁，以及所述划片道的上方的反射层；其中，位于划片道的上方的反射层具有至少一个凹槽，凹槽自反射层向衬底方向延伸。通过将覆盖于划片道区域的反射层预蚀刻形成凹槽，LED芯粒分割时的裂片路径位于该凹槽内部，降低了裂片对芯粒边缘反射层的结构破坏，避免了由于裂片而在反射层边缘产生结构剥落或裂纹延伸的不良现象，有效提高了反射层对LED芯粒的密封性，阻隔了水汽侵入，确保了产品质量可靠性以及使用寿命。
本实用新型倒装发光二极管、LED芯粒及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管，其特征在于，至少包括：衬底，所述衬底具有相对设置的衬底正面及衬底背面；半导体叠层，位于所述衬底正面，且包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；所述半导体叠层被分割为若干芯粒，相邻所述芯粒之间形成划片道；反射层，覆盖于所述半导体叠层的上方和侧壁，以及所述划片道的上方；其中，位于所述划片道的上方的所述反射层具有至少一个凹槽，所述凹槽自所述反射层向所述衬底方向延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泉州三安半导体科技有限公司，其通讯地址为：362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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