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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117966279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410134213.7，技术领域涉及：C30B33/06；该发明授权籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法是由张御寜;张忠辉;黄川;邓欢;侯磊设计研发完成，并于2024-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法，涉及半导体技术领域。该籽晶粘接剂包括质量比为1：0.1～1的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合。通过在粘接剂主体中加入吸气剂，使得粘接剂主体在裂解产生气体时，吸气剂能够对产生的气体进行吸附，缓解粘接剂主体的缩聚和重排，减少气体聚集形成空洞，直至粘接剂主体彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性。籽晶粘接方法使用了上述的籽晶粘接剂，有利于后续晶体生长的质量。

本发明授权籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种籽晶粘接方法，其特征在于，其包括：使用籽晶粘接剂将籽晶粘贴于目标粘接面，然后对所述籽晶粘接剂进行真空热压固化，所述籽晶粘接剂包括：质量比为1：0.1～0.6的粘接剂主体和吸气剂；所述吸气剂为粉末状且分散于所述粘接剂主体中，所述吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合，所述吸气剂的粒径小于5μm；对所述籽晶粘接剂进行真空热压固化的过程中，温度按照以下方式控制：从室温升温至第一预设温度，保温预设时长；从所述第一预设温度升温至第二预设温度；其中，所述第一预设温度为150～250℃，所述第二预设温度为350～550℃，且从所述第一预设温度升温至所述第二预设温度的升温速率不高于60℃h，所述第一预设温度下的保温时间为5min～180min，所述第二预设温度下的保温时间大于30min。

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