恭喜北京北方华创微电子装备有限公司关啸尘获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222619693U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420335183.1，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型半导体工艺设备是由关啸尘;杨帅;杨慧萍;黄嵘彪设计研发完成，并于2024-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺设备，其包括基体、底座、加热组件和测温件，基体和加热组件均为环状结构件，底座连接于基体的一端端部，基体的内表面和外表面之间夹设有环状结构的容纳槽，且容纳槽设有位于基体朝向底座的一端的端口，加热组件可自端口安装于容纳槽内；基体的侧壁设有第一贯穿孔和第二贯穿孔，加热组件设有第三贯穿孔，加热组件的接电线缆的一端穿过第一贯穿孔且伸出至基体之外，测温件穿过第二贯穿孔，且伸入第三贯穿孔，以用于测量基体的温度。上述半导体工艺设备可以解决目前半导体工艺设备中基座的被加热效率较低，且基座的底部和上部的温度均匀性较差，对半导体的正常加工产生较大不利影响的问题。
本实用新型半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括基体、底座、加热组件和测温件，所述基体和所述加热组件均为环状结构件，所述底座连接于所述基体的一端端部，所述基体的内表面和外表面之间夹设有环状结构的容纳槽，且所述容纳槽设有位于所述基体朝向所述底座的一端的端口，所述加热组件可自所述端口安装于所述容纳槽内；所述基体的侧壁设有第一贯穿孔和第二贯穿孔，所述加热组件设有第三贯穿孔，所述加热组件的接电线缆的一端穿过所述第一贯穿孔且伸出至所述基体之外，所述测温件穿过所述第二贯穿孔，且伸入所述第三贯穿孔，以用于测量所述基体的温度。
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