恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司耿鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利一种发光二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222621534U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420426076.X，技术领域涉及：H10H20/833；该实用新型一种发光二极管是由耿鑫;边福强;李士涛;赵天雨设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管在说明书摘要公布了：本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；外延层，包括依次形成在衬底的一表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；外延层的边缘具有露出第一半导体层的台阶结构；位于第二半导体层的表面上的透明导电层；透明导电层具有露出第二半导体层的多个通孔；位于透明导电层的表面上的金属层，至少用于与第二半导体层欧姆接触以及用于电流扩展；金属层覆盖多个通孔的侧壁和底部，在多个通孔与第二半导体层电连接；金属层露出透明导电层的边缘部分；电极层，包括第一电极和第二电极；第一电极位于台阶结构的底部，与第一半导体层电连接；第二电极位于金属层的表面上，与金属层电连接。本申请提供的发光二极管具有低工作电压和高ESD性能的优点。
本实用新型一种发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，包括依次形成在所述衬底的一表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述外延层的边缘具有露出所述第一半导体层的台阶结构；位于所述第二半导体层的表面上的透明导电层；所述透明导电层具有露出所述第二半导体层的多个通孔；位于所述透明导电层的表面上的金属层，至少用于与所述第二半导体层欧姆接触以及用于电流扩展；所述金属层覆盖所述多个通孔的侧壁和底部，在所述多个通孔与所述第二半导体层电连接；所述金属层露出所述透明导电层的边缘部分；电极层，包括第一电极和第二电极；所述第一电极位于所述台阶结构的底部，与所述第一半导体层电连接；所述第二电极位于所述金属层的表面上，与所述金属层电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，其通讯地址为：361026 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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