恭喜通威太阳能(成都)有限公司曾燕获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构以及硅片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222619759U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420427049.4，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构以及硅片是由曾燕设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构以及硅片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构以及硅片。该测试结构包括待测主体和电极主体。待测主体包括依次堆叠的硅衬底、钝化介电层和掺杂多晶硅层，所述钝化介电层位于所述硅衬底和所述掺杂多晶硅层之间；电极主体，位于所述待测主体的边角位置，且贯穿所述掺杂多晶硅层与所述钝化介电层接触。钝化介电层能够使电极主体穿透掺杂多晶硅层后不与硅衬底接触，从而避免掺杂多晶硅层与硅衬底之间形成电流导通路径，避免掺杂多晶硅层和硅衬底之间出现并联，能够起到绝缘的效果，避免掺杂多晶硅层被硅衬底短路，使电流路径满足霍尔效应的测试，从而使电极主体配合霍尔效应测试仪测试掺杂多晶硅层的载流子浓度以及载流子迁移率等霍尔数据。
本实用新型太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构以及硅片在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池掺杂多晶硅层的测试结构（10），用于霍尔数据的测试，其特征在于，包括：待测主体（1），包括依次堆叠的硅衬底（11）、钝化介电层（12）和掺杂多晶硅层（13），所述钝化介电层（12）位于所述硅衬底（11）和所述掺杂多晶硅层（13）之间；以及电极主体（2），位于所述待测主体（1）的边角位置，且贯穿所述掺杂多晶硅层（13）与所述钝化介电层（12）接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司，其通讯地址为：610299 四川省成都市高新综合保税区双流园区综保横路一段；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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