恭喜北京北方华创微电子装备有限公司袁倩获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利聚焦环组件、下电极结构及半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222619679U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420477661.2，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型聚焦环组件、下电极结构及半导体设备是由袁倩;王斐斐;王海莉设计研发完成，并于2024-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚焦环组件、下电极结构及半导体设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种聚焦环组件、下电极结构及半导体设备，聚焦环组件包括聚焦环主体和环状电极，聚焦环主体能够设置在用于承载晶圆的承载部件上，并能够环绕所述承载部件的用于承载所述晶圆的承载面设置，所述聚焦环主体的底部设置有呈环状的容置槽；环状电极容纳设置在所述容置槽内，并能够与用于提供下射频的下射频源电连接。本实用新型提供的聚焦环组件、下电极结构及半导体设备，能够使等离子体轰击晶圆边缘的方向和速率与轰击晶圆中部的方向和速率相同，从而能够提高晶圆的刻蚀均匀性。
本实用新型聚焦环组件、下电极结构及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环组件，其特征在于，包括：聚焦环主体，能够设置在用于承载晶圆的承载部件上，并能够环绕所述承载部件的用于承载所述晶圆的承载面设置，所述聚焦环主体的底部设置有呈环状的容置槽；环状电极，容纳设置在所述容置槽内，并能够与用于提供下射频的下射频源电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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