恭喜上海华力集成电路制造有限公司张强强获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利离子注入过程的晶圆温度检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222619677U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420559397.7，技术领域涉及：H01J37/244；该实用新型离子注入过程的晶圆温度检测装置是由张强强设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入过程的晶圆温度检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种离子注入过程的晶圆温度检测装置，包括工艺腔体结构，工艺腔体结构包括：由腔体侧壁、腔体底部及腔体顶部组成的腔体壁；晶圆托盘，其用于晶圆进行离子注入的承载、冷却和加热；法拉第杯，其用于量测离子束的电流大小、方向和波形；等离子体电子喷淋装置，用于中和离子束；红外辐射温度检测仪，其分别设置于腔体顶部上且位于晶圆托盘上方的位置，以及腔体侧壁且位于离子束路径的位置，用于检测晶圆的温度。本实用新型能够对低温和高温离子注入过程晶圆温度直接检测，准确控制离子注入工艺温度。
本实用新型离子注入过程的晶圆温度检测装置在权利要求书中公布了：1.一种离子注入过程的晶圆温度检测装置，其特征在于，包括：工艺腔体结构，所述工艺腔体结构包括：由腔体侧壁、腔体底部及腔体顶部组成的腔体壁；晶圆托盘，其用于晶圆进行离子注入的承载、冷却和加热；法拉第杯，其用于量测离子束的电流大小、方向和波形；等离子体电子喷淋装置，用于中和离子束；红外辐射温度检测仪，其分别设置于所述腔体顶部上且位于所述晶圆托盘上方的位置，以及所述腔体侧壁且位于所述离子束路径的位置，用于检测所述晶圆的温度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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