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龙图腾网恭喜四川凯路威科技有限公司申请的专利全共字线OTP存储器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118553294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411030838.5，技术领域涉及：G11C17/18；该发明授权全共字线OTP存储器电路是由毛军华;彭泽忠设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本全共字线OTP存储器电路在说明书摘要公布了：全共字线OTP存储器电路，涉及集成电路技术。本发明包括译码器和N个OTP存储器单元，所述OTP存储器单元包括存储MOS管、选择MOS管和检测MOS管；检测MOS管的第一电流连接端连接本单元的第一位线，所述译码器为树形结构，树形结构包括至少两个子树层，每个子树包括两个树枝，两个树枝连接于节点，每个树枝的末端和节点之间都设置有一个开关MOS管；相邻两层中，上层子树的节点与下层子树的树枝末端连接，顶层的树枝末端一一对应连接至各OTP存储器单元的第一位线；开关MOS管的栅极通过连接线引出。本发明电路和操作都较现有技术更简洁，成本和可靠性都得以改善。

本发明授权全共字线OTP存储器电路在权利要求书中公布了：1.全共字线OTP存储器电路，包括译码器和N个OTP存储器单元，N为预设自然数，所述OTP存储器单元包括存储MOS管、选择MOS管和检测MOS管；检测MOS管的第一电流连接端连接本单元的第一位线，第二电流连接端连接本单元的第二位线，控制端连接参考点；存储MOS管的一个电流连接端连接参考点；选择MOS管的一个电流连接端连接参考点，另一个电流连接端连接本单元的第一位线；其特征在于，所述OTP存储器单元还包括一个分压MOS管，所述分压MOS管设置于存储MOS管和选择MOS管之间；所有的选择MOS管的栅极都连接到一条共同的选择字线WS；所有的存储MOS管的栅极都连接到一条共同的存储字线WP；所有的分压MOS管的栅极都连接到一条共用的分压字线WB1；通过列选即可实现对编程对象的选择，行线WP始终处于高电平无需切换，无需行译码器；所述译码器为树形结构，树形结构包括至少两个子树层，每个子树包括两个树枝，两个树枝连接于节点，每个树枝的末端和节点之间都设置有一个开关MOS管；相邻两层中，上层子树的节点与下层子树的树枝末端连接，顶层的树枝末端一一对应连接至各OTP存储器单元的第一位线；开关MOS管的栅极通过连接线引出；列选MOS管同时承担分压功能，省掉了一级分压管；在写入时，列选MOS管充当一级分压管，隔离了一部分高压；解决了GIDL漏电防护和芯片电路复杂度的矛盾。

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