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龙图腾网恭喜景略半导体(上海)有限公司申请的专利应用于以太网的收发混合电路、通信方法和通信系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118944702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411221397.7，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权应用于以太网的收发混合电路、通信方法和通信系统是由刘锐强;吴拓;李英轩设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于以太网的收发混合电路、通信方法和通信系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种应用于以太网的收发混合电路、通信方法和通信系统，所述电路包括：差分发射模块，与以太网的差分双绞线端口连接，被配置为通过差分形式发射待传输的信号；发射消除模块，被配置为消除所述信号中源自发射端的干扰信号，同时放大所述信号，用以后续接收；负载模块，包括电路负载，所述差分双绞线端口的输入输出阻抗与所述电路负载进行匹配。本申请的差分发射电路结构简单，发射消除不仅能消除发射信号中的线性部分，对于非线性部分也可以消除，同时对于接收的信号也有2倍的放大作用。

本发明授权应用于以太网的收发混合电路、通信方法和通信系统在权利要求书中公布了：1.一种应用于以太网的收发混合电路，其特征在于，所述电路包括：差分发射模块，与以太网的差分双绞线端口连接，被配置为通过差分形式发射待传输的信号；发射消除模块，被配置为消除所述信号中源自发射端的干扰信号，同时放大所述信号，用以后续接收；负载模块，包括电路负载，所述差分双绞线端口的输入输出阻抗与所述电路负载进行匹配；所述差分发射模块包括第一发射单元；所述第一发射单元包括第零MOS管、第二MOS管和第一电阻；所述第零MOS管的源极与所述第二MOS管的源极均与地连接，所述第零MOS管的栅极、第零MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极均与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第零MOS管的栅极作为所述第一发射单元的发射输入端；响应于单端发射信号为正输出，发射信号的路径为：所述第一发射单元的发射输入端的输入信号由所述第零MOS管的栅极指向外部；响应于单端接收信号为正输出，接收信号的路径为：接收信号由第一电路负载的一端传输至所述第一电路负载的另一端；所述差分发射模块还包括第二发射单元；所述第二发射单元包括第一MOS管、第三MOS管和第二电阻；所述第一MOS管的源极与所述第三MOS管的源极均与地连接，所述第一MOS管的栅极、第一MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极均与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的栅极作为所述第二发射单元的发射输入端；响应于单端发射信号为负输出，发射信号的路径为：所述第二发射单元的发射输入端的输入信号由外部指向所述第一MOS管的栅极；响应于单端接收信号为负输出，接收信号的路径为：接收信号由第二电路负载的一端传输至所述第二电路负载的另一端；所述发射消除模块包括：第四MOS管、第五MOS管、第一差分电阻和第二差分电阻；所述第四MOS管与所述第二MOS管的信号方向相同，所述第五MOS管利用差分对的极性相反的发射消除信号，消除所述信号中源自发射端的干扰信号；所述负载模块包括第一电路负载和第二电路负载；所述第一电路负载的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二电路负载的一端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一电路负载的另一端、所述第二电路负载的另一端均与地连接；响应于单端发射信号输出，所述第一电路负载和所述第二电路负载上的发射电流为发射端的输入信号的一半再乘以预设放大系数；响应于单端接收信号输出，所述第一电路负载和所述第二电路负载上的接收电流为接收端的输入信号的两倍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人景略半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区纳贤路800号1幢A座6楼601-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。