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龙图腾网恭喜南京汇君半导体科技有限公司申请的专利基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119223471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411273047.5，技术领域涉及：G01K7/18；该发明授权基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器是由韩博文;彭娜设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器，包括：用于输出零温度系数基准电压VREF和正温度系数电压VPTAT的第一部分电路；用于增强零温度系数基准电压VREF的驱动能力的第二部分电路；用于增强正温度系数电压VPTAT的第三部分电路；用于增强第三部分电路的输出电压VPTAT_E的驱动能力的第四部分电路；用于输出零温度系数偏置电流的第五部分电路；用于芯片片上温度检测的第六部分电路。本发明在温度不变的情况下优化传统的正温度系数电压斜率和扩展幅值范围生成优化增强的正温度系数电压，通过控制模‑数转换器进行芯片的片上温度检测。

本发明授权基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于增强型正温度系数电压生成结构的片上温度传感器，其特征在于，包括：用于输出零温度系数基准电压VREF和正温度系数电压VPTAT的第一部分电路（100）；用于增强零温度系数基准电压VREF的驱动能力的第二部分电路（200），第二部分电路（200）用于接收第一部分电路（100）输出的零温度系数基准电压VREF、第五部分电路（500）输出的电流IZ1,1，并输出电压VREF_BUF；用于增强正温度系数电压VPTAT的第三部分电路（300），第三部分电路（300）用于接收第二部分电路（200）输出的电压VREF_BUF、第一部分电路（100）输出的正温度系数电压VPTAT、第五部分电路（500）输出的电流IZ1,2，并输出增强型正温度系数电压VPTAT_E；用于增强第三部分电路（300）的输出电压VPTAT_E的第四部分电路（400），第四部分电路（400）用于接收第三部分电路（300）输出的增强型正温度系数电压VPTAT_E、第五部分电路（500）输出的电流IZ1,3，并输出电压VPTAT_E_BUF；用于输出零温度系数偏置电流的第五部分电路（500），第五部分电路（500）用于接收第一部分电路（100）输出的零温度系数基准电压VREF，输出为4个零温度系数偏置电流输出端口输出的电流IZ1,1—IZ1,4；用于芯片片上温度检测的第六部分电路（600），第六部分电路（600）用于接收第四部分电路（400）输出的电压VPTAT_E_BUF、第二部分电路（200）输出的电压VREF_BUF、第五部分电路（500）输出的电流IZ1,4，输出片上温度码。

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