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龙图腾网恭喜湖南星硕传感科技有限公司申请的专利一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118883656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411370890.5，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用是由艾亮东;祝文科;张谊;豆亚稳;张秦哲;艾文轩;艾滔设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用，该芯片包括：衬底层、敏感材料层、过滤层和泡沫陶瓷；所述敏感材料层包括Pd‑SnO2、Pd‑In2O3和Pd‑WO3；所述过滤层包括如下制备原料：Pd源、九氟己基三甲氧基硅烷和HZSM‑5分子筛。本申请通过对敏感材料层和过滤层进行调控，从而制得了性能优异的传感器芯片。

本发明授权一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体气体传感器芯片，其特征在于，包括：衬底层、敏感材料层、过滤层和泡沫陶瓷；所述敏感材料层包括Pd-SnO2、Pd-In2O3和Pd-WO3；所述敏感材料层中Pd-SnO2、Pd-In2O3和Pd-WO3的质量比为1:0.2~0.4:0.3~0.5；所述过滤层包括以下重量份数的制备原料：HZSM-5分子筛10份、Pd源0.1份~0.5份和九氟己基三甲氧基硅烷0.5份~1份；所述Pd源包括PdN4H12Cl2；所述泡沫陶瓷包括以下重量份数的制备原料：氧化铝50份、氧化镁4份~5份、淀粉35份~45份和高岭土5份~10份；所述衬底层为氧化铝层；所述Pd-SnO2的制备方法，包括以下步骤：将二氧化锡、钒酸铵和氨水混合后，制得锡源混合物；再将二氯四氨钯溶液和锡源混合物混合后，浓缩至干，退火；所述退火的温度为500℃~600℃；所述二氧化锡和钒酸铵的质量比为10:1~2；所述二氧化锡和二氯四氨钯的质量比为100：1~2；所述过滤层的制备方法包括以下步骤：将HZSM-5分子筛、Pd源和水混合后在70℃~90℃下烘干，再在氢气气氛下，温度为500℃~600℃进行煅烧处理1h~3h，得煅烧处理后的HZSM-5分子筛；将煅烧处理后的HZSM-5分子筛和氨水混合，制得第一混合物；其中，煅烧处理后的HZSM-5分子筛和氨水的质量体积比为1g：40mL~60mL；将九氟己基三甲氧基硅烷添加至第一混合物中，在120℃~140℃下反应20h~30h，反应完成后固液分离，收集固相；所述泡沫陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将氧化铝、氧化镁、淀粉、高岭土和水混合、压制、干燥和烧结；所述压制的压力为15MPa~25MPa；所述干燥的温度为70℃~90℃；所述烧结的温度为1200℃~1400℃；所述烧结的时间为1h~3h。

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