恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司彭康获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411587416.8，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权半导体器件及其制作方法是由彭康;王维安;杨宗凯;陈信全;王海萍设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成氧化层与氮化层；依次刻蚀所述氮化层、所述氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成沟槽；填充介质材料在所述沟槽内形成浅沟槽隔离结构；对所述氮化层进行图形化处理形成场板。本发明在形成浅沟槽隔离结构之后，无需去除氮化层，直接对氮化层进行图形化处理形成场板，与现有技术中相比，本发明减少了两道洗净制程、三道炉管制程以及一道刻蚀制程，缩减了工艺流程，减低了制作成本，有效提高了生产效率。同时，场板位于衬底上方，电流可直接从漏极流向源极，不会被场板阻挡，可降低导通电阻。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上依次形成氧化层与氮化层；依次刻蚀所述氮化层、所述氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成沟槽，其中在形成所述沟槽时所述氮化层作为掩膜层；填充介质材料在所述沟槽内形成浅沟槽隔离结构；以及对形成所述沟槽时作为掩膜层的所述氮化层进行图形化处理形成场板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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