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龙图腾网恭喜深圳市微源半导体股份有限公司申请的专利电平转换电路、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119154862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411648863.X，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权电平转换电路、芯片及电子设备是由李海波设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本电平转换电路、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请适用于电子电路技术领域，提供了一种电平转换电路、芯片及电子设备。电平转换电路包括第一开关模块、第二开关模块、锁存模块和逻辑模块，锁存模块中的第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均用于接收第一电压，第一PMOS管的栅极分别与锁存模块中的第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、逻辑模块和第二开关模块连接，第一PMOS管的漏极分别与第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第一开关模块连接，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均用于接第一地，第一开关模块和第二开关模块均用于接收输入信号，第一开关模块和第二开关模块还均用于接第二地。

本发明授权电平转换电路、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，其特征在于，包括第一开关模块、第二开关模块、锁存模块和逻辑模块，所述锁存模块中的第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均用于接收第一电压，所述第一PMOS管的栅极分别与所述锁存模块中的第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极、所述逻辑模块和所述第二开关模块连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极和所述第一开关模块连接，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均用于接第一地，所述第一开关模块和所述第二开关模块均用于接收输入信号，所述第一开关模块和所述第二开关模块还均用于接第二地；在所述输入信号为高电平时，所述第二开关模块断开；所述第一开关模块导通并向所述锁存模块提供第一电平；所述锁存模块根据所述第一电平向所述逻辑模块提供第二电平；所述逻辑模块根据所述第二电平输出第一目标电平；在所述输入信号为低电平时，所述第一开关模块断开；所述第二开关模块导通并向所述锁存模块提供第三电平；所述锁存模块根据所述第三电平向所述逻辑模块提供第四电平；所述逻辑模块根据所述第四电平输出第二目标电平；所述电平转换电路还包括第三开关模块和第四开关模块，所述第三开关模块设置在所述第一开关模块与第二地之间，所述第四开关模块设置在所述第二开关模块与第二地之间，所述第三开关模块用于接收第一信号，所述第四开关模块用于接收第二信号；在所述输入信号由低电平变为高电平时，所述第四开关模块根据所述第二信号断开；所述第三开关模块根据所述第一信号导通并向所述锁存模块提供所述第一电平，然后在导通时间达到第一预设时间时断开；在所述输入信号由高电平为低电平时，所述第三开关模块根据所述第一信号断开；所述第四开关模块根据所述第二信号导通并向所述锁存模块提供所述第三电平，然后在导通时间达到第二预设时间时断开。

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