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龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411698050.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法是由许一力设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及肖特基二极管技术领域，且公开了种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构，包括阴极接触金属、阳极接触金属以及半导体外延层；所述半导体外延层且位于两个高掺杂P阱区之间设有深沟槽结构，所述深沟槽结构包括有位于外层的P型掺杂区和位于内层的填充介质，其中所述填充介质与高掺杂P阱区和阳极接触金属接触。本发明通过在碳化硅肖特基二极管内部引入深沟槽结构，在深沟槽侧壁和底部注入P型杂质形成P型掺杂区域，槽内填充SiO2等介质材料，通过快速高效地移除重离子轰击产生的电子‑空穴对，降低单粒子辐射产生的电流和辐射响应时间，可以有效提升碳化硅二极管的抗单粒子辐射能力。

本发明授权一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构，其特征在于，包括阴极接触金属（1）、阳极接触金属（2）以及半导体外延层；所述半导体外延层包括衬底层（3）、扩散层（4），其中所述扩散层（4）的表面通过离子注入硼离子形成有若干个互补接触的高掺杂P阱区（5），所述衬底层（3）与阴极接触金属（1）欧姆接触，所述高掺杂P阱区（5）与阳极接触金属（2）欧姆接触，所述扩散层（4）与阳极接触金属（2）之间构成肖基特接触；所述半导体外延层且位于两个高掺杂P阱区（5）之间设有深沟槽结构，所述深沟槽结构包括有位于外层的P型掺杂区（6）和位于内层的填充介质（7），其中所述填充介质（7）与相邻的高掺杂P阱区（5）以及阳极接触金属（2）接触；所述填充介质（7）为P型多晶硅层（701）或N型多晶硅层（702）或混合材质中的一种，所述混合材质由N型多晶硅内层（703）与P型多晶硅外层（704）组成。

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