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龙图腾网恭喜中电晶华(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种TMBS用硅外延片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411735069.9，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种TMBS用硅外延片的制备方法是由刘奇;李明达;傅颖洁;龚一夫;庞伟龙;赵聪;秦涛;刘云;王亚倞设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMBS用硅外延片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种TMBS用硅外延片的制备方法包括如下步骤：将硅衬底片放入硅外延炉反应腔室的石墨基座上，升温，保温，以氢气为载气向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体，清洗；氢气吹扫，以氢气为载气通入三氯氢硅气体，在石墨基座上生长包硅层；清洗硅衬底片，再次放置于石墨基座的包硅层上，石墨基座旋转，升温至1140℃～1160℃，通入氯化氢气体，氯化氢气体的流量为0.8～1.2Lmin,气抛；调整氯化氢流量为0.4～0.6Lmin，气抛,停止通入氯化氢气体，通入氢气吹扫；以氢气为载气向外延炉内腔通入三氯氢硅气体，通入时间为60‑140s,石墨基座保持旋转，降温，获得硅外延片。

本发明授权一种TMBS用硅外延片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TMBS用硅外延片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1将硅衬底片放入硅外延炉反应腔室的石墨基座上，升温至1130-1160℃，保温，以氢气为载气向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体，清洗外延炉反应腔室、石墨基座、PIN针和硅衬底片；S2氢气吹扫外延炉反应腔室，排出氯化氢气体，以氢气为载气通入三氯氢硅气体，在石墨基座上生长包硅层；S3）取出硅衬底片，清洗硅衬底片，再次放置于石墨基座的包硅层上，石墨基座旋转，升温至1140℃～1160℃，通入氯化氢气体，氯化氢气体的流量为0.8～1.2Lmin,刻蚀速率为0.9-1.1μmmin，气抛16～20s；调整氯化氢流量为0.4～0.6Lmin，刻蚀速率为0.4-0.6μmmin，气抛8～12s,停止通入氯化氢气体，通入氢气，流量为50～70Lmin,吹扫15～25s；S4以氢气为载气向外延炉内腔通入三氯氢硅气体，通入时间为60-140s,石墨基座保持旋转，降温，获得硅外延片；步骤S1中，氯化氢气体的流量为15-25Lmin，首先在流量为5～15Lmin的氢气稀释下，刻蚀时间为10～20s；其次，在流量为25～35Lmin的氢气稀释下，刻蚀时间为15～25s。

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