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龙图腾网恭喜中电晶华(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411735231.7，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法是由李明达;龚一夫;秦涛;吴重阳;李世才;赵聪;董彬;刘云;刘奇;傅颖洁;庞伟龙;王亚倞设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法；包括如下步骤：清洗硅外延炉反应腔体及其内部石墨基座，以氢气为载气向硅外延炉反应腔体通入三氯氢硅气体，在石墨基座上生长多晶硅包覆层；硅外延炉降温，将硅衬底片放入到石墨基座的片坑内，通入氢气，硅外延炉升温，保温，以氢气为载体向硅外延炉通入三氯氢硅气体，在硅衬底片生长硅外延层，当硅外延层厚度达到25‑30μm，降温，获得硅外延片；通过功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片制备方法的提出,解决现有技术中存在的25‑30μm厚度的硅外延片因为高温生长时间长，边缘容易与石墨基座粘连或碰撞，发生裂纹或崩边缺陷的概率也将明显升高，无法连续批量生产厚层硅外延片的技术问题。

本发明授权一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片制备方法，其特征在于：所述硅外延片的硅外延层的厚度为25-30μm，制备方法包括如下步骤：S1清洗硅外延炉反应腔体及其内部石墨基座；S2以氢气为载气向硅外延炉反应腔体通入三氯氢硅气体，在石墨基座上生长多晶硅包覆层，三氯氢硅气体的流量为10-12gmin，生长时间为2-3min，多晶硅包覆层的厚度达到5-6μm；S3硅外延炉降温，将硅衬底片放入到石墨基座的片坑内，旋转石墨基座，通入氢气，排出空气，硅外延炉升温至1130-1150℃，以氢气为载体向硅外延炉通入三氯氢硅气体，三氯氢硅气体的流量设定为2-4gmin；生长速度设定为1-2μmmin，当硅外延层厚度达到目标后，降温，获得硅外延片；步骤S3中，反应腔体降温至600-650℃，将硅衬底片放入到石墨基座的片坑内；步骤S3中的石墨基座的旋转速率30-40rmin；清洗硅外延炉反应腔体及其内部石墨基座步骤包括：将硅外延炉的反应腔室升温至1160-1180℃，升温后，以氢气为载气通入氯化氢气体对硅外延炉反应腔体及其内部石墨基座进行清洗；其中，氢气流量设定为3-5Lmin，氯化氢气体流量设定为15-20Lmin，清洗时间设定为125-150s；步骤S3中，以氢气为载体向硅外延炉通入三氯氢硅气体时，氢气的流量设定为45-50Lmin；硅外延炉为5200平板式单片硅外延炉；石墨基座底部无排气孔。

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