恭喜中南大学孙威获国家专利权
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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119219419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411750512.X，技术领域涉及：C04B35/56；该发明授权一种含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料及其制备方法是由孙威;杨平进;熊翔设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种含表面预氧化层的Zr‑V‑Cr‑Si‑C复相陶瓷材料及其制备方法，属于复合材料制备领域。将酚醛树脂溶液与Zr粉、V粉、Cr粉、C粉和无机纤维混合后进行压制，得到坯体I；在所述坯体I表面采用包埋法铺设Si粉后，采用反应熔渗法进行渗硅，得到坯体II；将所述坯体II进行火焰预氧化处理，得到含表面预氧化层的Zr‑V‑Cr‑Si‑C复相陶瓷材料，该方法能够在复相陶瓷材料表面形成致密预氧化层，能充当氧隔离屏障，有效阻隔氧对基体内部的侵蚀。
本发明授权一种含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将酚醛树脂溶液与Zr粉、V粉、Cr粉、C粉和无机纤维混合后进行压制，得到坯体I；按质量比计，Zr粉：V粉：Cr粉：C粉=0.5~2：2~3：2~3：1；（2）在所述坯体I表面采用包埋法铺设Si粉后，采用反应熔渗法进行渗硅，得到坯体II；所述反应熔渗法的温度大于所述无机纤维的真空熔化温度；所述无机纤维的真空熔化温度1700℃；（3）将所述坯体II进行火焰预氧化处理，得到含表面预氧化层的Zr-V-Cr-Si-C复相陶瓷材料。
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