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龙图腾网恭喜合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利多芯片堆叠的封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884206.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权多芯片堆叠的封装结构及其制造方法是由吴政达;廖玠诚设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本多芯片堆叠的封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多芯片堆叠的封装结构及其制造方法，若干个封装单元沿纵向依次堆叠在基板上，塑封层Ⅱ包覆所有的封装单元；封装单元包括塑封层Ⅰ、存储器芯片和中介层芯片，存储器芯片和中介层芯片通过再布线层实现互连，封装单元之间通过连接凸点实现电性连接。本发明将扇出型封装技术和TSV技术结合，无需每个封装单元包含基板，实现封装结构的轻薄化，信号通过中介层芯片垂直传输，不必在存储器芯片上加工TSV；本发明还通过再布线层增加存储器芯片的连接点数量，使封装单元之间的互连更易、更快实现；并且，本发明对NCF的结构改进，由流动性小的第一膜层起支撑作用，减少胶膜外溢，流动性大的第二膜层优先融化，使连接凸点更易穿过，减少虚焊。

本发明授权多芯片堆叠的封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片堆叠的封装结构，其特征在于，包括基板、封装单元和塑封层Ⅱ，若干个封装单元沿纵向依次堆叠设置在基板上，所述塑封层Ⅱ覆盖在基板上并包覆所有的封装单元；所述封装单元包括塑封层Ⅰ、存储器芯片和中介层芯片，塑封层Ⅰ内并列包封有至少一个存储器芯片和至少一个带有硅通孔的中介层芯片，所述封装单元的上表面和下表面分别形成有再布线层和连接凸点，所述存储器芯片和所述中介层芯片通过再布线层实现互连，所述封装单元之间通过连接凸点实现电性连接；相邻的封装单元之间、最底层的封装单元和基板之间填设有非导电胶膜，所述非导电胶膜围绕每个连接凸点，并将封装单元之间、封装单元和基板之间进行接合；所述非导电胶膜包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层在对应于每个连接凸点的位置开设有凹槽或通孔，所述第二膜层设置在所述凹槽或通孔内，在相同条件下所述第二膜层的流动性大于所述第一膜层的流动性。

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