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龙图腾网恭喜合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利封装偏移堆叠DRAM结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884207.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权封装偏移堆叠DRAM结构的方法是由吴政达;廖玠诚设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装偏移堆叠DRAM结构的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及封装结构技术领域，更涉及封装偏移堆叠DRAM结构的方法。步骤：DRAM芯片为芯片，将第一个芯片的背面粘贴在临时基座上；在第一个芯片的正面偏移粘贴另一个芯片的背面；其余芯片也按此粘贴，塑封，通过钻孔在塑封后的堆叠芯片中成型多个通孔，每个通孔都分别连通一个芯片；在每个通孔内补入导电材料，形成TMV结构，在TMV后的堆叠芯片的正面形成重布线层，在重布线层上形成凸块，去除临时基座，得到所需结构；其中，偏移堆叠时，不从第一个芯片计算，从其后的第二个芯片开始计算，每2个芯片偏移方向相同，每2个芯片堆叠后改变偏移方向。本发明实现多个DRAM芯片堆叠，优化了封装结构，降低了封装难度。

本发明授权封装偏移堆叠DRAM结构的方法在权利要求书中公布了：1.封装偏移堆叠DRAM结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：将第一个DRAM芯片的背面粘贴在临时基座上；偏移堆叠：在第一个DRAM芯片的正面偏移粘贴另一个DRAM芯片的背面；其余DRAM芯片也按此粘贴在前一个DRAM芯片的背面，得到多层偏移堆叠的DRAM芯片，然后塑封，得到塑封后的堆叠芯片；通过钻孔在塑封后的堆叠芯片中成型多个通孔，每个通孔都分别连通一个DRAM芯片；在每个通孔内补入导电材料，形成TMV结构，得到TMV后的堆叠芯片；在TMV后的堆叠芯片的正面通过RDL技术形成重布线层，重布线层连通TMV结构，得到RDL后的堆叠芯片；通过凸点技术在RDL后的堆叠芯片的重布线层上形成凸块，去除堆叠芯片背面粘贴的临时基座，得到偏移堆叠DRAM结构；其中，偏移堆叠时，不从第一个DRAM芯片计算，从其后的第二个DRAM芯片开始计算，每2个DRAM芯片偏移方向相同，每2个DRAM芯片堆叠后改变偏移方向；导电材料包括导电浆料、自制的导电材料；导电浆料包括导电银浆；自制的导电材料的制备方法包括如下步骤，将铜纳米颗粒在搅拌条件下加入至乙二醇中，超声处理混合，得到处理后的纳米颗粒；在加热条件下，向二甲苯中加入环氧树脂，搅拌，边搅拌边加入增塑剂，搅拌均匀，得到树脂溶液；在搅拌条件下，在树脂溶液中，加入部分处理后的纳米颗粒，搅拌，再次加入剩余的处理后的纳米颗粒，搅拌，确保均匀分散，得到自制的导电材料。

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