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龙图腾网恭喜深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利IGBT器件的内置镇流电阻及其形成方法与IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510030369.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT器件的内置镇流电阻及其形成方法与IGBT器件是由田甜;张伟;廖光朝设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件的内置镇流电阻及其形成方法与IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及IGBT器件的内置镇流电阻及其形成方法与IGBT器件。IGBT器件的版图单元包括多个沟槽区和N+型源区、多晶硅区和接触孔区，多个N+型源区和多晶硅区沿着沟槽区长度的方向间隔交替设置，接触孔区位于N+型源区内部；内置镇流电阻包括N‑衬底，N‑衬底上对应沟槽区刻蚀形成有深槽；深槽相对两侧的N‑衬底上均分布有交替间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的位置与N+型源区相对应，第二掺杂区的位置与多晶硅区相对应；第一掺杂区的顶端具有N+阱区，第二掺杂区的顶端具有第二N‑阱区。本发明的具有内置镇流电阻的IGBT器件，能够获得更大的正温度系数，且常温下对IGBT器件的导通压降VCESAT影响不大。

本发明授权IGBT器件的内置镇流电阻及其形成方法与IGBT器件在权利要求书中公布了：1.IGBT器件的内置镇流电阻，其特征在于，所述IGBT器件的版图单元包括多个沟槽区，以及设置在每相邻两个所述沟槽区之间的N+型源区、多晶硅区和接触孔区，所述N+型源区、多晶硅区和接触孔区均至少设置有两个，多个所述N+型源区和多晶硅区沿着第一方向间隔交替设置，所述接触孔区位于N+型源区内部，所述第一方向为沿着沟槽区长度的方向；沿着第二方向，所述内置镇流电阻包括N-衬底，以及设置在N-衬底上的第一掺杂区和第二掺杂区，所述N-衬底上对应沟槽区刻蚀形成有深槽，所述第二方向为沿着IGBT器件厚度的方向；所述深槽相对两侧的N-衬底上均分布有交替间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的位置与N+型源区相对应，所述第二掺杂区的位置与多晶硅区相对应；所述第一掺杂区的顶端具有N+阱区，所述第二掺杂区的顶端具有第二N-阱区。

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