恭喜格科微电子(上海)有限公司徐涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910898437.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器是由徐涛;赵立新设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器，其中，所述CMOS图像传感器包括：转移晶体管、复位晶体管、复合晶体管；所述复合晶体管由源跟随晶体管和行选通晶体管所组成，用于实现源跟随晶体管、行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过氧化层进行间隔，从而可以在节省面积的同时，提高器件的速度。
本发明授权CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器包括：转移晶体管、复位晶体管和复合晶体管；所述复合晶体管由源跟随晶体管和行选通晶体管所组成，用于实现源跟随晶体管和行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过氧化层进行间隔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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