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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利晶体管的集成偶极流获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113924656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040979.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权晶体管的集成偶极流是由林永景;卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯;李路平;陈世忠;杰奎琳·S·阮奇;杨逸雄;史蒂文·C.H·洪;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;吉田尚美;董琳设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管的集成偶极流在说明书摘要公布了：描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧TiLaN、氮化钛钇TiYN、氮化钛锶TiSrN、氮化钛镁TiMgN、氮化钛铝TiAlN、氮化钛钽TiTaN、碳化铪HfC、氮化铪HfN、氮氧化铪HfON、碳氧化铪HfOC、碳化铪铝HfCAl、氮化铪铝HfAlN、或氮碳化铪HfCN。

本发明授权晶体管的集成偶极流在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括：源极区、漏极区、以及分隔所述源极区和所述漏极区的沟道；和偶极区，所述偶极区在所述沟道的顶表面上，所述偶极区包括自下而上的层间电介质、高K介电材料、和偶极层，所述偶极层通过在从200℃至500℃的范围内的温度下的氮化钛TiN与偶极前驱物的交替循环的原子层沉积ALD而沉积，其中所述偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧TiLaN、氮化钛钇TiYN、氮化钛锶TiSrN、或氮化钛镁TiMgN、氮化钛铝TiAlN、氮化钛钽TiTaN、或氮化钛铪TiHfN。

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