买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜英飞凌科技两极有限两合公司申请的专利短路半导体器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010749269.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权短路半导体器件及其操作方法是由M·申克;R·巴特尔梅斯;P·魏德纳;D·皮科尔日;M·德罗尔德纳;M·施特尔特;H·尼贝尔;U·克尔纳-韦德豪森;C·德里林;J·普日比拉设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本短路半导体器件及其操作方法在说明书摘要公布了：短路半导体器件具有半导体本体，其中设置第一导电类型的背面基极区和正面基极区、与第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域。背面和正面基极区与背面和正面电极导电连接。至少一个正面和或背面导通结构嵌入到正面和或基极区中并且至少部分地由正面和或背面电极覆盖。导通结构是第二导电类型的发射极结构，其分别与相应的电极导电接触，可以借助于至少一个触发结构导通，该触发结构又借助于电导通信号激活。在激活状态下，触发结构将浪涌电流注入到半导体本体中，该浪涌电流不可逆地破坏在导通结构与其嵌入的基极区之间形成的第一半导体结和或在该基极区与内部区域之间形成的第二半导体结。还涉及用于操作这种短路半导体器件的方法。

本发明授权短路半导体器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.短路半导体器件，所述短路半导体器件包括：半导体本体16、25、32、39、48、55、58、61、69、74、77，所述半导体本体包括沿竖直方向v从所述半导体本体的背面4开始，相继地设置有第一导电类型p的背面基极区6，与所述第一导电类型互补的第二导电类型n的内部区域7，以及所述第一导电类型p的正面基极区8，由其几何重心确定的背面中心13，朝向与所述背面4相对的正面5；由其几何重心确定的正面中心13；其中，所述背面基极区6与背面电极11以导电方式连接，所述背面电极11具有横向背面电极宽度WER，其中，所述正面基极区8与正面电极10以导电方式连接，所述正面电极10具有横向正面电极宽度WEV，其中，在所述正面基极区8中嵌入至少一个正面导通结构17、23、30、35、53、63，所述至少一个正面导通结构由所述正面电极10至少部分地覆盖，和或在所述背面基极区6嵌入至少一个背面导通结构31、36、46、57，所述至少一个背面导通结构由所述背面电极11至少部分地覆盖，其中，所述至少一个正面导通结构17、23、30、31、35、36、46、53、63和所述至少一个背面导通结构中的一者或两者是所述第二导电类型n的发射极结构17、23、30、35、36、46、53、63，所述至少一个正面导通结构的所述发射极结构与所述正面电极10、11以导电方式接触，所述至少一个背面导通结构的所述发射极结构与所述背面电极以导电方式接触，所述发射极结构被构造为通过至少一个触发结构20、26、37、38、47、54、60导通，所述至少一个触发结构通过输送给它的电导通信号激活，其中所述至少一个正面导通结构具有通过其横向延伸给定的横向正面导通结构宽度WSV，并且所述至少一个背面导通结构具有由其横向延伸给定的横向背面导通结构宽度WSR，其中，所述横向正面导通结构宽度WSV与相应的横向正面电极宽度WEV的比例小于1和或所述横向背面导通结构宽度WSR与相应的横向背面电极宽度WER的比例小于1，其特征在于，所述至少一个触发结构20、26、37、38、47、54、60被构造为将浪涌电流注入到所述至少一个触发结构20、26、37、38、47、54、60与至少一个正面和或至少一个背面导通结构17、23、30、35、36、46、53、63之间的半导体本体16、25、32、39、48、55、58、61、69、74、77中，以不可逆地破坏在所述至少一个正面导通结构17、23、30、35、36、46、53、63和所述正面基极区6、8之间形成的第一半导体结和或在所述正面基极区6、8和内部区域7之间形成的第二半导体结，或不可逆地破坏在背面导通结构和背面基极区之间形成的背面第一半导体结和或在至少一个背面基极区和内部区域之间形成的背面第二半导体结，其中正面电极和背面电极各自包括与半导体本体接触的接触盘，其中正面电极和背面电极的接触盘各自包括钼。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技两极有限两合公司，其通讯地址为：德国瓦尔施泰因；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。