恭喜福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司林滨获国家专利权
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龙图腾网恭喜福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110294202.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置是由林滨;乐发垫;付婉霞;邹振游;郭航乐;李梁梁设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。在该方法中，通过一次图案化处理形成保护电极层和有源层，且保护电极层和源漏极层是通过不同的图案化处理形成的。如此，在不增加工艺难度的前提下，形成的保护电极层可以覆盖源漏极层，降低了源漏极层被氧化的概率，提高了源漏极层的导电性，进而提高了薄膜晶体管的性能。
本发明授权薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的半导体薄膜，所述半导体薄膜至少用于后续经过图案化处理形成所述薄膜晶体管的有源层；在形成有所述半导体薄膜的衬底基板上形成图案化后的源漏极层，所述源漏极层至少包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；在形成有所述源漏极层的衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的导电薄膜，所述导电薄膜至少用于后续经过图案化处理形成覆盖在所述源极和所述漏极上的保护电极层；对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行图案化处理，得到由所述半导体薄膜形成的所述有源层，以及由所述导电薄膜形成的所述保护电极层，并对所述保护电极层进行处理，使得所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少部分断开或绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，其通讯地址为：350300 福建省福州市福清市石竹街道西环北路36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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