买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种碲基室温太赫兹探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110525423.5，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种碲基室温太赫兹探测器件是由高艳卿;黄志明;马万里;周炜;姚娘娟;江林;邱琴茜;李敬波;石艺设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碲基室温太赫兹探测器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属‑半导体‑金属结构，半导体选用碲纳米片材料，选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz，172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs，响应率高达600kVW，在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pWHz0.5。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后，响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。

本发明授权一种碲基室温太赫兹探测器件在权利要求书中公布了：1.一种碲基室温太赫兹探测器件，其特征在于：所述的器件采用高阻硅衬底1，衬底上有一层自然氧化的二氧化硅层2，将碲纳米片3转移到二氧化硅层2上，然后在碲纳米片上制备左右对称的蝶形正电极层4和蝶形负电极层5；所述的高阻硅衬底1厚度为0.5mm，电阻率10000Ω·cm；所述的自然氧化的二氧化硅层2厚度25nm；所述的碲纳米片3是用化学气相沉积法制备的单晶材料，纳米片厚度为300-500nm，宽度为5-10μm，长度为10-30微米；所述的蝶形正电极层4和蝶形负电极层5都采用30nm厚的钛和300nm厚的金，先溅射钛再溅射金，由钛和金正负电极层覆盖在碲纳米片3形成的台阶的表面和边缘，形成金属-半导体-金属结构，并在接触处形成欧姆接触，其中大部分的电极层都生长在台阶两侧的表面上；蝶形正电极层4和蝶形负电极层5围绕器件两边分别呈和形状镜像对称分布；所述的蝶形正电极层4和蝶形负电极层5的上端面形成左右对称的蝶形天线，具体尺寸为：电极宽度w为500μm，两端总长度l为4000μm，电极间距a即敏感元长度为5-10μm，与敏感元接触处的电极宽度即敏感元宽度b为5-10μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海技术物理研究所，其通讯地址为：200083 上海市虹口区玉田路500号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。