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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种人工反铁磁结构和存储元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110779625.2，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权一种人工反铁磁结构和存储元件是由颜世申;田玉峰;陈延学;柏利慧;周铁;谢雪杰设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种人工反铁磁结构和存储元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种人工反铁磁结构和存储元件，其中，人工反铁磁结构包括：依次层叠设置的第一金属层、人工合成反铁磁层和第二金属层，其中，金属层与人工合成反铁磁层之间的界面存在界面DMDzyaloshinskii–Moriya相互作用，因此，第一金属层与人工合成反铁磁层之间存在第一界面DM相互作用，第二金属层与人工合成反铁磁层之间存在第二界面DM相互作用，第一界面DM相互作用与第二界面DM相互作用不同。强的界面DM相互作用使得人工合成反铁磁层形成稳定的手性Néel磁畴壁。在第一界面DM相互作用和第二界面DM相互作用不同时，在较小的辅助磁场甚至零磁场下就能够通过电流使手性Néel磁畴壁中up‑to‑down和down‑to‑up磁畴壁的运动速度有明显的区别，从而获得自旋轨道矩引起的确定性磁化翻转。

本发明授权一种人工反铁磁结构和存储元件在权利要求书中公布了：1.一种人工反铁磁结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一金属层、人工合成反铁磁层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料和或厚度不同；所述人工合成反铁磁层包括：依次层叠的第一铁磁层、非铁磁层和第二铁磁层，其中，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层通过所述非铁磁层形成反铁磁耦合，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的磁矩反平行排列，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层为具有垂直磁各向异性的铁磁材料；所述第一金属层与所述人工合成反铁磁层之间存在第一界面DM相互作用，所述第二金属层与所述人工合成反铁磁层之间存在第二界面DM相互作用，所述第一界面DM相互作用与所述第二界面DM相互作用不同；所述第二金属层包括至少两层金属的复合层，其中，通过改变复合层中的金属层之间的相对厚度及顺序调控所述第二界面DM相互作用的大小。

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