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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝高新材料公司申请的专利接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180059127.9，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法是由末永诚一;米津麻纪;藤泽幸子设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Ag、Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，在所述铜板和所述接合层的接合界面中，存在Ti与选自Ag、Cu、Sn及In中的至少1种的Ti合金，所述Ti合金在所述接合界面的每30μm长度中存在30％以上。

本发明授权接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种接合体，其特征在于，其具备：陶瓷基板，铜板，和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层；所述接合层含有Ag、Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层由接合钎料形成，所述接合钎料含有50质量％以上的Cu、4质量％以上且30质量％以下的Ti、5质量％以上且40质量％以下的选自Sn及In中的1种或两种、1质量％以上且20质量％以下的Ag、0质量％以上且2质量％以下的碳，在所述铜板和所述接合层的接合界面中，存在Ti与选自Ag、Cu、Sn及In中的至少1种的Ti合金，所述Ti合金在所述接合界面的每30μm长度中存在30％以上，所述Ti合金的至少一部分为含有Ti和所述第1元素的合金，在含有Ti和所述第1元素的所述合金中，存在Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比MTiME1为0.4以上的富Ti区，在连结所述陶瓷基板和所述铜板的方向上的所述接合层的中央部，存在Ti的质量MTi相对于Ag的质量MAg之比MTiMAg为0.1以下的贫Ti区，在对所述接合层的截面进行面分析时，Ag的质量比为20质量％以下。

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