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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110843290.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体装置是由竹田骏设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种能够实现半导体元件的高集成化和在动作时产生的电感的降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1基板、第2基板、第1金属层、第2金属层、第1半导体元件、第2半导体元件、第1端子、第2端子、第3端子、第1栅极端子和第2栅极端子。第2基板在第1方向上与第1基板分离而设置，具有主配线和信号配线。主配线具有第1配线层、第2配线层、第3配线层和第4配线层。信号配线具有设置在与主配线不同的层的第1栅极配线层、以及设置在与主配线不同的层的第2栅极配线层。第1半导体元件设置在第1金属层上，具有第1电极、第2电极和第1栅极电极。第2半导体元件设置在第2金属层上，具有第3电极、第4电极和第2栅极电极。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有：第1基板；第1金属层，设置在所述第1基板上；第2金属层，与所述第1金属层分离而设置在所述第1基板上；第2基板，在第1方向上与所述第1基板分离而设置，具有主配线和信号配线，所述主配线具有与所述第1金属层电连接的第1配线层、与所述第2金属层电连接的第2配线层、与所述第1配线层及所述第2配线层分离而设置的第3配线层以及与所述第3配线层电连接的第4配线层，所述信号配线具有在所述第1方向上设置在与所述主配线不同的层的第1栅极配线层以及在所述第1方向上设置在与所述主配线不同的层的第2栅极配线层；第1半导体元件，设置在所述第1金属层上，具有与所述第1金属层电连接并设置在所述第1半导体元件的第1面的第1电极、与所述第2配线层电连接并设置在所述第1半导体元件的与所述第1面对置的第2面的第2电极、以及与所述第1栅极配线层电连接并设置在所述第1半导体元件的所述第2面的第1栅极电极；第2半导体元件，设置在所述第2金属层上，具有与所述第2金属层电连接并设置在所述第2半导体元件的第1面的第3电极、与所述第4配线层电连接并设置在所述第2半导体元件的与所述第1面对置的第2面的第4电极、以及与所述第2栅极配线层电连接并设置在所述第2半导体元件的所述第2面的第2栅极电极；第1端子，与所述第1配线层电连接；第2端子，与所述第3配线层电连接；第3端子，与所述第2金属层电连接；第1栅极端子，与所述第1栅极配线层电连接；以及第2栅极端子，与所述第2栅极配线层电连接，所述信号配线还具有与所述第2电极电连接的第1源极感测配线层、以及与所述第4电极电连接的第2源极感测配线层；所述半导体装置还具有：第1源极感测端子，与所述第1源极感测配线层电连接；以及第2源极感测端子，与所述第2源极感测配线层电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。