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龙图腾网恭喜苏州腾晖光伏技术有限公司申请的专利一种P型IBC电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111339977.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种P型IBC电池的制备方法是由张树德;刘玉申;况亚伟;连维飞;倪志春设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型IBC电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。

本发明授权一种P型IBC电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，包括：S1在P型晶体硅基体的正面制绒；S2对制绒后的P型晶体硅进行双面硼扩散，在P型晶体硅基体表面形成P+掺杂硅层与硼硅玻璃层；S3去除双面硼扩散后P型晶体硅背面局部区域的硼硅玻璃层，裸漏出P+掺杂硅层；S4将去除局部区域硼硅玻璃层的P型晶体硅进行磷掺杂，使磷掺杂入裸漏的P+掺杂硅层中形成N+掺磷硅层及磷硅玻璃层；S5去除磷掺杂后的P型晶体硅表面的玻璃层；S6在去除玻璃层的P型晶体硅表面形成钝化层和或减反层；S7在形成钝化层和或减反层的P型晶体硅的背面分别制备与P+掺杂硅层接触的P+电极及与N+掺磷硅层相接触的N+电极；所述步骤S2中双面硼扩散时硼源为BBr3或BCl3；温度为950℃～1050℃；时间为40～60min；采用激光去除双面硼扩散后P型晶体硅背面局部区域的硼硅玻璃层，裸漏出P+掺杂硅层后，用碱处理，去除激光损伤。

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