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龙图腾网恭喜中国空间技术研究院申请的专利量子点中红外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111365975.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权量子点中红外光电探测器及其制备方法是由常慧聪;冯亚军;刘军库;郭楠;肖林设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子点中红外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种量子点中红外光电探测器及其制备方法。该制备方法包括：在硅二氧化硅衬底上生长氧化铟镓锌导电沟道层；在所述氧化铟镓锌导电沟道层的表面制备源电极和漏电极；对所述氧化铟镓锌导电沟道层进行图形化；利用热注入法制备单晶碲化锡胶体量子点；将所述单晶碲化锡胶体量子点旋涂至图形化后的氧化铟镓锌导电沟道层的表面，得到初始器件；对所述初始器件进行退火，获得量子点中红外光电探测器。通过上述方法制备的量子点中红外光电探测器可解决中红外量子点材料的无毒性难题和拓宽量子点探测器的响应波段的问题。

本发明授权量子点中红外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点中红外光电探测器的制备方法，包括：在硅二氧化硅衬底上生长氧化铟镓锌导电沟道层；所述氧化铟镓锌导电沟道层的载流子迁移率为9.23m2V-1s-1，开关比为5×107，厚度为10～100nm；在所述氧化铟镓锌导电沟道层的表面制备源电极和漏电极；对所述氧化铟镓锌导电沟道层进行图形化；利用热注入法制备单晶碲化锡胶体量子点；其中，反应温度为150℃，反应时间为8～10min；所述单晶碲化锡胶体量子点的粒径尺寸分布为50～100nm，晶向以111为主；将所述单晶碲化锡胶体量子点旋涂至图形化后的氧化铟镓锌导电沟道层的表面，得到初始器件；对所述初始器件进行退火，获得量子点中红外光电探测器；采用梯度升温，然后冷却至室温的方式对所述初始器件进行退火操作，获得所述量子点中红外光电探测器，所述退火的温度为100～350℃，时间为1～4h，气氛为惰性气体。

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