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龙图腾网恭喜北京平头哥信息技术有限公司申请的专利中介层、半导体封装器件和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488363.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权中介层、半导体封装器件和电子装置是由马超;范文锴设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本中介层、半导体封装器件和电子装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种中介层和半导体封装器件。该中介层包括：载体层；在载体层上方依次铺设的多个金属层；以及填充在多个金属层的相邻金属层之间的绝缘介质层，其中，采用多个金属层的至少一个第一金属层的导电图案形成第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一组互联走线，以及采用多个金属层的至少一个第二金属层的导电图案形成第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第二组互联走线，第一半导体芯片和第二半导体芯片设置在中介层之上，至少一个第一金属层和至少一个第二金属层之间间隔至少一个其他金属层，至少一个其他金属层中的至少一个用作接地层。本公开实施例提供的中介层，通过在特定金属层进行走线层布局，实现了电性能的有效优化。

本发明授权中介层、半导体封装器件和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种中介层，包括：载体层；在所述载体层上方依次铺设的多个金属层；以及填充在所述多个金属层的相邻金属层之间的绝缘介质层，其中，采用所述多个金属层的至少一个第一金属层的导电图案形成第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一组互联走线，以及采用所述多个金属层的至少一个第二金属层的导电图案形成所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的第二组互联走线，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置在所述中介层之上，所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层之间间隔至少一个其他金属层，所述至少一个其他金属层中的至少一个用作接地层；所述多个金属层的层数为五层，将从所述载体层开始向上计数的第二个和第五个金属层分别作为所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层，并采用所述载体层开始向上计数的第三个金属层的导电图案形成所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的第三组互联走线，以及将所述载体层开始向上计数的第四个金属层作为接地层，将第一个金属层作为虚设金属层，所述虚设金属层不进行任何信号传输，用于保护信号线和满足覆铜率要求。

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