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龙图腾网恭喜无锡瑞科维半导体有限公司申请的专利一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111609926.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构是由冷德武;郭琴设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构，包括有源区、包围有源区的终端区及栅极引线区；有源区中第一元胞沟槽长度大于第二元胞沟槽；终端区包括至少一个围绕元胞沟槽的终端沟槽，靠近元胞沟槽端部的终端沟槽一边均具有波浪形状，另一边为直线形状或为波浪形状，且靠近元胞沟槽这一端的每个波浪形状均位于相邻两个元胞沟槽之间，波浪形状的顶点位于正中间；在靠近栅极引线区拐角处，与第二元胞沟槽相邻的第一元胞沟槽设有至少一个波浪形状，且其位于第二元胞沟槽的端部和终端沟槽之间；通过在终端沟槽靠近有源区沟槽的一侧设置波形结构，强化该区域的耗尽层耗尽夹断的效果，使电场均匀分布，从而缓解漏电薄弱区的曲率，改善漏源极IDSS漏电。

本发明授权一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构在权利要求书中公布了：1.一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构，包括有源区（001）、包围所述有源区（001）的终端区（002）及栅极引线区（003）；其特征在于；所述有源区（001）包括元胞沟槽，所述元胞沟槽包括第一元胞沟槽（1）及与所述第一元胞沟槽（1）平行设置的第二元胞沟槽（2），且所述第一元胞沟槽（1）长度大于第二元胞沟槽（2）；所述终端区（002）包括至少一个围绕所述元胞沟槽的终端沟槽（3），靠近所述元胞沟槽端部的终端沟槽（3）一边均具有波浪形状，另一边为直线形状，且每个波浪形状均位于相邻两个元胞沟槽之间；波浪形状的顶点位于正中间，在靠近栅极引线区（003）拐角处，与所述第二元胞沟槽（2）相邻的第一元胞沟槽（1）设有至少一个波浪形状，且其位于所述第二元胞沟槽（2）的端部和终端沟槽（3）之间。

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