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龙图腾网恭喜华北电力大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请的专利碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114414975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210047622.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统是由郭亚慧;孙鹏;李焕林;蔡雨萌;赵志斌;王异凡;刘黎;邵先军;曾明全;王少华设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统在说明书摘要公布了：碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。

本发明授权碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.碳化硅MOSFET结温在线测量方法,该方法是碳化硅MOSFET多个电参数在线结温测量方法，其特征为：包括如下步骤：步骤一：绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1与结温Tj的关系曲线；步骤二：绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；步骤三：根据碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的关系，构建解析模型：1动态温敏电参数值VDTSEP1随温度变化而变化，且近似成线性关系，随温度变化的灵敏度取决于碳化硅MOSFET器件负载电流I的大小，动态温敏电参数值VDTSEP1与负载电流关系为非线性，用二次函数近似表示动态温敏电参数值VDTSEP1与负载电流I的变化关系，碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、负载电流I和结温Tj的模型可以用公式1近似表示；VDTSEP1＝p0I2+p1I+p2Tj+p3I2+p4I+p51其中VDTSEP1为动态温敏电参数值，p0、p1、p2、p3、p4、p5为拟合系数；2动态温敏电参数值VDTSEP2随温度变化而变化，且近似成线性关系，随温度变化的灵敏度取决于碳化硅MOSFET器件负载电流I的大小，动态温敏电参数值VDTSEP2与负载电流关系为非线性，用二次函数近似表示动态温敏电参数值VDTSEP2与负载电流I的变化关系，碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP2、负载电流I和结温Tj的模型可以用公式2近似表示；VDTSEP2＝k0I2+k1I+k2Tj+k3I2+k4I+k52其中VDTSEP2为动态温敏电参数值，k0、k1、k2、k3、k4、k5为拟合系数；3根据碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的关系，采用线性回归方法分别拟合动态温敏电参数值VDTSEP1和动态温敏电参数值VDTSEP2与碳化硅MOSFET器件结温Tj和负载电流I的解析模型，关系式12所示；步骤四：根据所述碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I；步骤五：根据所述碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及负载电流I，确定器件在线运行的结温。

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