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龙图腾网恭喜无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利晶圆表面局部处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210544585.8，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权晶圆表面局部处理方法是由温子瑛;王致凯设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆表面局部处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆表面局部处理方法，其涉及半导体技术领域，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与凹槽道的第二位置连通的第二通孔；晶圆表面局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；依次将第一反应液、隔离流体、第二反应液自第一通孔通入凹槽道中；向第一通孔中通入动力流体以使动力流体推动第一反应液、隔离流体和第二反应液在凹槽道中流动。本发明能够对晶圆表面局部给定深度范围内的硅进行腐蚀以对硅材料中该深度范围内的污染杂质进行提取与检测。

本发明授权晶圆表面局部处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面局部处理方法，其特征在于，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆表面局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，以使所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成一允许流体流动的通道；依次将第一反应液、隔离流体、第二反应液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；所述隔离流体不能与所述晶圆表面、所述第一反应液和所述第二反应液发生反应；通入所述凹槽道内的所述隔离流体将所述第一反应液和所述第二反应液分隔在两边；位于所述凹槽道中的所述第一反应液和所述第二反应液能够依次与所述晶圆表面接触；所述第一反应液与所述第二反应液中其中一种具有良好的杂质溶解或晶圆腐蚀作用，另一种基本不和晶圆反应并能通过稀释或中和原理阻止残余另一反应液与晶圆的反应；或者，所述第一反应液与所述第二反应液中其中一种具有良好的晶圆腐蚀作用，另一种具有良好的杂质溶解作用。

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