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龙图腾网恭喜深圳技术大学申请的专利一种柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210599074.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法是由贾原;胡波;张文伟;孙浩;王程;田金鹏;宋秋明设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及柔性晶体管加工技术领域，具体涉及一种柔性石墨烯场效应晶体管的制备方法，包括在衬底硅上涂覆一层薄膜，并在薄膜上形成氧化铝介电层，得到基片；在上述氧化铝介电层制备出第一电极；在上述得到的基片上形成栅极介电层，栅极介电层覆盖上述第一电极，并在栅极介电层上加工出第二电极，第一电极和所述第二电极互不相连；在基片上通过印章法形成石墨烯层，并对石墨烯进行图形化处理并露出第二电极；石墨烯用于连接第一电极和第二电极，得到石墨烯器件；将上述得到的石墨烯器件从衬底硅上剥离，从而得到具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管。本柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法能够在单位厚度下提高晶体管的密度，制备工艺简单，成本较低。

本发明授权一种柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S100：在衬底硅上涂覆一层薄膜，并在薄膜上形成氧化铝介电层，得到基片；所述薄膜为PI薄膜，所述薄膜厚度为10-25μm；S200：在上述氧化铝介电层制备出第一电极；S300：在步骤S200得到的基片上形成栅极介电层，所述栅极介电层覆盖上述第一电极，并在所述栅极介电层上加工出第二电极，所述第一电极和所述第二电极互不相连；S400：在基片上通过印章法转移石墨烯层，并对石墨烯进行图形化处理并露出第二电极；所述石墨烯用于连接第一电极和第二电极，以得到石墨烯器件；S500：将步骤S400得到的石墨烯器件从衬底硅上剥离，从而得到具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管；所述S400具体地包括以下步骤：S410：在铜箔石墨烯上位于石墨烯的一面旋涂PMMA溶液，得到顺序为PMMA层石墨烯铜箔的组合体一；S420：在组合体一位于PMMA层的一侧上通过PDMS胶粘附并压实在载玻片上，并去除铜箔，得到顺序为载玻片PDMS层PMMA层石墨烯的组合体二；S430：将组合体二位于石墨烯一侧辊压在步骤S300得到的基片位于第一电极的一侧上，组合体二覆盖第一电极和第二电极；步骤S300得到的基片的加热温度为160-180℃，辊压时间为0.5-4min；去除组合体二上的载玻片和PDMS层；S440：利用丙酮去掉PMMA层，然后利用异丙醇清洗，再用去离子水冲洗洗净；S450：在石墨烯上涂胶光刻，得到石墨烯图形化沟道，显影，再利用等离子plasma打掉多余的石墨烯，得到石墨烯器件。

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