恭喜西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210657492.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件及制备方法是由许晟瑞;胡琳琳;王雨佳;张涛;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED及制备方法，主要解决现有红光LED高In组分InGaN生长困难，In原子偏析严重，量子限制斯塔克效应显著，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层1、AlN成核层2、n型GaN层3、InxGa1‑xNGaN多量子阱4、电子阻挡层6和p型层7，该p型层上设有正电极8，该n型GaN层上设有负电极9，该多量子阱与电子阻挡层之间溅射有金属In层5，通过热扩散，使得多量子阱层中In组分增加，发射波长变长。本发明提高了发光二极管效率，可用于制作高效率的发射红光器件，实现氮化物的全色显示。
本发明授权基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件，自下而上包括：c面蓝宝石衬底层1、AlN成核层2、n型GaN层3、InxGa1-xNGaN多量子阱4、电子阻挡层6和p型层7，该p型层7上设有正电极8，该n型GaN层3上设有负电极9，其特征在于：所述多量子阱4与电子阻挡层6之间设有金属In层5，以增加多量子阱层4中In的组分，增长器件的发射波长，提高红光LED的发光效率。
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