买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利主动元件基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210825484.8，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权主动元件基板及其制造方法是由范扬顺;黄震铄设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本主动元件基板及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种主动元件基板及其制造方法，其中该主动元件基板包括基板、第一半导体元件以及第二半导体元件。第一半导体元件以及第二半导体元件设置于基板之上。第一半导体元件包括第一栅极、第一半导体层、第一源极以及第一漏极。第一栅极与第一半导体层之间夹有栅介电结构。栅介电结构包括栅介电层的一部分与铁电材料层的一部分的堆叠。第二半导体元件电连接至第一半导体元件，且包括第二栅极、第二半导体层、第二源极以及第二漏极。第二栅极与第二半导体层之间夹有铁电材料层的另一部分。

本发明授权主动元件基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种主动元件基板，包括：基板；第一半导体元件，设置于该基板之上，其中该第一半导体元件包括：第一栅极以及第一半导体层，其中该第一半导体层包括第一源极区、第一沟道区与第一漏极区，其中该第一栅极与该第一半导体层之间夹有栅介电结构，其中该栅介电结构包括栅介电层的一部分与铁电材料层的一部分的堆叠，该栅介电层覆盖该第一半导体层的上表面与侧壁，且该铁电材料层位于该栅介电层的上表面并接触该第一栅极的下表面，该第一半导体元件的次临界摆幅小于60mVdec；第一源极以及第一漏极，电连接至该第一半导体层；第二半导体元件，设置于该基板之上，且电连接至该第一半导体元件，其中该第二半导体元件包括：第二栅极以及第二半导体层，其中该第二半导体层包括第二源极区、第二沟道区与第二漏极区，其中该第二栅极与该第二半导体层之间夹有该铁电材料层的另一部分，该栅介电层覆盖该第二半导体层的侧壁，且该铁电材料层接触该第二半导体层的上表面以及该第二栅极的下表面，该铁电材料层自该第一栅极与该栅介电层之间连续地延伸至该第二栅极以及该第二半导体层之间，该第二半导体元件具有驱动晶体管以及存储器的功能，其中该铁电材料层的材料包括NixMgyZn0.98-yO或HfzZr1-zO2，其中x为0.01至0.05，y为0.05至0.15，z为0.4至0.6，其中该铁电材料层的厚度为5纳米至50纳米，且该栅介电层的厚度为50纳米至100纳米；第二源极以及第二漏极，电连接至该第二半导体层，其中该铁电材料层不重叠于该第一源极区、该第一漏极区、该第二源极区以及该第二漏极区；以及第三半导体元件，设置于该基板之上，且电连接至该第二半导体元件，其中该第三半导体元件包括：第三栅极以及第三半导体层，其中该第三栅极与该第三半导体层之间夹有该栅介电层的另一部分；第三源极以及第三漏极，电连接至该第三半导体层，其中该铁电材料层不重叠于该第三半导体层，第三半导体元件作为感测晶体管使用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。