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龙图腾网恭喜江苏联格科技有限公司申请的专利一种半导体光电探测器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211472136.3，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种半导体光电探测器芯片及其制备方法是由郑志明;征峰;徐峰设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体光电探测器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体光电探测器芯片及其制备方法，包括至少一个光电探测器单元，每个光电探测器单元包括光耦合器、耦合光波导和微环结构半导体横向雪崩光电探测器，微环结构半导体横向雪崩光电探测器包括硅衬底、氧化硅层、阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区。本发明适合于在吸收系数很低的情况下对微弱光信号的探测和成像，并且采用微环结构不增加器件的尺寸，解决了现有技术在微弱光信号下的探测率低和工作速度低的问题。

本发明授权一种半导体光电探测器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光电探测器芯片的制备方法，半导体光电探测器芯片包括至少一个光电探测器单元，每个光电探测器单元包括光耦合器、耦合光波导和微环结构半导体横向雪崩光电探测器，入射光经光耦合器进入耦合光波导，再由耦合光波导耦合进入微环结构半导体横向雪崩光电探测器；微环结构半导体横向雪崩光电探测器包括硅衬底、氧化硅层、阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区，氧化硅层设置在硅衬底上侧，阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区依次横向排列设置在氧化硅层的上侧，第一电极设置在阳极接触区上，第二电极设置在阴极接触区上；所述光耦合器采用水平光耦合器或者垂直光耦合器；所述耦合光波导采用硅、氧化硅或氮化硅材料制成；所述微环结构半导体横向雪崩光电探测器为闭合的环形结构，闭合的环形结构包括圆形、椭圆形或腰圆形；所述脊形波导吸收区采用硅、锗、锗硅和锗量子点中的一种或几种材料组成的异质结构材料；所述阳极接触区、第一P型区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区采用硅材料；所述微环结构半导体横向雪崩光电探测器的外侧部分为无源波导；所述阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区成同心的环形分布；所述阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区由内向外依次排列设置在氧化硅层的上侧，阳极接触区和第一P型区位于脊形波导吸收区构成的微环以内区域，第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区位于脊形波导吸收区构成的微环以外区域；所述阳极接触区、第一P型区、脊形波导吸收区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区由外向内依次排列设置在氧化硅层的上侧，阳极接触区和第一P型区位于脊形波导吸收区构成的微环以外区域，第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区位于脊形波导吸收区构成的微环以内区域；其特征在于包含以下步骤：S1、取一SOI片，其氧化层厚度2微米，表面硅层厚度220nm，在SOI片表面沉积氧化硅层，厚度为30nm；S2、光刻并刻蚀SOI片表面的氧化硅层，以氧化硅为掩膜刻蚀硅，刻蚀厚度为70nm，形成光栅结构光耦合器，同时形成光波导结构；S3、用光刻胶保护光耦合器光栅区域，刻蚀硅，刻蚀厚度60nm，将脊形耦合光波导和微环光波导的脊高从70nm增加到130nm，耦合光波导与微环光波导在耦合区的距离为250nm；再在需要隔离的区域刻蚀硅至埋层氧化硅，实现隔离；光耦合器和脊形耦合光波导制作完成；S4、由微环里向微环外，经多次区域离子注入，并退火激活，形成不同的掺杂区：阳极接触区、第一P型区、脊形波导区、第二P型区、雪崩区、N型区和阴极型接触区，其中阳极接触区为P型重掺杂区，第一P型区和第二P型区为P型掺杂区,脊形波导区和雪崩区不进行离子注入掺杂，N型区为N型掺杂区，阴极型接触区为N型重掺杂区；S5、沉积氧化硅，并在脊形微环波导上刻蚀氧化硅，露出准备外延锗量子点的区域；S6、在脊形微环光波导上外延生长多层锗量子点；S7、生长二氧化硅钝化层；S8、刻蚀二氧化硅，露出欧姆接触区；S9、蒸发欧姆接触第一电极和第二电极；S10、电极金属合金化。

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