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龙图腾网恭喜凯瑟斯技术(杭州)有限公司申请的专利原子束准直器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211534079.7，技术领域涉及：G21K1/02；该发明授权原子束准直器及其制作方法是由王旭成;屈求智设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本原子束准直器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种原子束准直器及其制作方法，制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底厚度方向的第一表面上蚀刻形成相互平行的第一沟槽结构；提供第一支撑层，阳极键合所述第一支撑层于所述硅衬底厚度方向的第一表面，形成层叠体；以及切割所述层叠体获得原子束准直器；其中，位于所述硅衬底和所述第一支撑层之间的所述第一沟槽结构作为所述原子束准直器的第一微通道。

本发明授权原子束准直器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种原子束准直器的制作方法，适用于二维的微通道结构的原子束准直器的制作，其特征在于，所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底厚度方向的第一表面上蚀刻形成相互平行的第一沟槽结构；提供第一支撑层，阳极键合所述第一支撑层于所述硅衬底厚度方向的第一表面，形成层叠体；以及切割所述层叠体获得原子束准直器；其中，位于所述硅衬底和所述第一支撑层之间的所述第一沟槽结构作为所述原子束准直器的第一微通道；形成层叠体还包括：在阳极键合后，于所述硅衬底厚度方向的第二表面再蚀刻形成相互平行的第二沟槽结构，所述第二表面和所述第一表面相背，接着，提供第二支撑层，阳极键合所述第二支撑层于所述第二表面形成层叠体，所述层叠体包括依序层叠的所述第二支撑层、所述硅衬底和所述第一支撑层，位于所述硅衬底和所述第二支撑层之间的所述第二沟槽结构作为所述原子束准直器的第二微通道；或，于所述第一支撑层厚度方向露出的第三表面再蚀刻形成相互平行的第三沟槽结构，提供第三支撑层，阳极键合所述第三支撑层于所述第三表面上以形成层叠体，所述层叠体包括依序层叠的所述硅衬底、所述第一支撑层和所述第三支撑层，位于所述第二支撑层和所述第三支撑层之间的所述第三沟槽结构作为所述原子束准直器的第三微通道。

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