恭喜西安金藏膜环保科技有限公司王磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安金藏膜环保科技有限公司申请的专利利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116282410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211697513.3,技术领域涉及:C02F1/469;该发明授权利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置是由王磊设计研发完成,并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置在说明书摘要公布了:本发明公开了利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置,包括依次叠层设置的上端板、上垫片、上集流板、上绝缘垫圈、PTFE隔膜、下绝缘垫圈、下集流板、下垫片和下端板;上端板、上垫片、上集流板之间形成有出水腔室,下集流板、下垫片和下端板之间形成有进水腔室;下端板上设置有进水口,所述上端板上设置有出水口。本发明改变传统电容去离子系统进水方向,使水流垂直穿过阴阳集流板,多孔阴极集流板连接外接电源负极,作为阳极的活性炭涂层多孔集流板与正极相连以在电容去离子组件中形成电场,辅助阴极材料捕获目标带电体,强化系统离子去除效果,提高电极材料的有效利用率。
本发明授权利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置在权利要求书中公布了:1.利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置,其特征在于,包括依次叠层设置的上端板(1)、上垫片(2)、上集流板(3)、上绝缘垫圈(4)、PTFE隔膜(5)、下绝缘垫圈(6)、下集流板(7)、下垫片(9)和下端板(10);所述上端板(1)、上垫片(2)、上集流板(3)之间形成有出水腔室,所述下集流板(7)、下垫片(9)和下端板(10)之间形成有进水腔室;所述下端板(10)上设置有进水口,所述上端板(1)上设置有出水口;所述上集流板(3)和下集流板(7)均为多孔钛板;所述上集流板(3)位于PTFE隔膜(5)的一侧涂覆有正电极材料涂层,所述正电极材料为导电活性炭;所述下集流板(7)位于PTFE隔膜(5)的一侧涂覆有负电极材料涂层,所述负电极材料为ZIF-67包覆棒状MnO2粉末形成的复合材料;所述上集流板(3)和下集流板(7)分别与电源(11)的正、负极连接;所述下集流板(7)和下端板(10)之间设置有超滤膜(8);所述负电极材料涂层制备方法为:步骤1,将MnSO4溶液、KMnO4溶液、聚乙烯吡咯烷酮混合,得到混合液;所述MnSO4、KMnO4和聚乙烯吡咯烷酮的质量比为2.5:1.5~1.6:1;步骤2,将混合液在反应釜中、120~140℃下反应2~3h,降至室温后得到固体,对所得固体进行清洗、干燥,研磨,得到棒状MnO2粉末,记作MO;步骤3,将步骤2得到的MO分散于甲醇中,再加入六水合硝酸钴;再在搅拌下加入2-甲基咪唑的甲醇溶液,搅拌10~12h,离心分离得到沉淀;步骤4,清洗步骤3所得沉淀,干燥,研磨,得到MOF包覆式复合赝电容材料,记作MO@ZIF-67;步骤5,将PVDF粉末在60~70℃下活化36~48h后,分散于DMF中,70~80℃加热搅拌30~60min,获得胶体溶液;步骤6,将步骤5的胶体溶液与步骤4的MO@ZIF-67、乙炔黑、PVDF混合搅拌,获得均匀的混合浆料;所述MO@ZIF-67、乙炔黑、PVDF的质量比为8:1:1;步骤7,将步骤6的混合浆料涂刷在集流板上,在40~60℃下干燥4~8h,再在去离子水中浸泡12~15h,干燥后,在集流板上形成负电极材料涂层。
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