买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜河北大学申请的专利一种c轴取向生长的SnSb₂Te₄热电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310163584.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种c轴取向生长的SnSb₂Te₄热电薄膜及其制备方法是由陈明敬;王淑芳;钱鑫;陈旭阳;郭浩然;李志亮;方立德设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种c轴取向生长的SnSb₂Te₄热电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种c轴取向生长的SnSb2Te4热电薄膜及其制备方法。本发明采用放电等离子体烧结技术制备SnSb2Te4多晶靶材，采用脉冲激光沉积技术在单晶基片上生长SnSb2Te4薄膜，通过调控基片温度、氩气压强、激光能量密度等参数，在单晶基片上沉积择优取向性好、结晶质量高的SnSb2Te4薄膜。通过本发明方法所制备的SnSb2Te4薄膜具有良好的热电性能，在热电薄膜器件和微区集成电子器件等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种c轴取向生长的SnSb₂Te₄热电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种c轴取向生长的SnSb2Te4热电薄膜的制备方法，其特征是，包括如下步骤：（a）制备靶材：①将Sn、Sb、Te粉末按摩尔计量配比为Sn:Sb:Te=1:2:4的比例混合均匀；②将步骤①混合均匀的粉末放入石英管，之后进行真空封管；③将真空封管后的石英管放入马弗炉中进行熔融烧结，形成铸锭；④将烧结后的铸锭进行粉碎、研磨成粉；⑤将步骤④所得粉末采用放电等离子体烧结技术进行烧结压制，制得SnSb2Te4靶材；（b）清洗基片：采用超声波清洗方法去除基片表面杂质；所述基片为钛酸锶；（c）放置靶材：将步骤（a）所得SnSb2Te4靶材安放在脉冲激光沉积设备外延室的靶托上；（d）放置基片：将清洗干净的基片用银胶粘在样品托中心，送入脉冲激光沉积设备外延室的加热台；SnSb2Te4靶材和基片之间的距离为50mm；（e）抽真空：将脉冲激光沉积设备外延室背底真空抽至小于或等于4×10-4Pa；（f）基片升温：运行升温程序，以10℃min的速度对基片进行加热，使基片的温度升温至250℃~300℃；（g）调节压强：待基片温度达到设定温度后，向脉冲激光沉积设备外延室充入高纯氩气，调节充气和抽气阀门大小，使氩气动态平衡气压保持为设定压强；（h）沉积薄膜：用脉冲激光轰击SnSb2Te4靶材进行表面预溅射，预溅射结束后在基片上沉积SnSb2Te4薄膜；沉积时间为5min、10min或15min；（i）冷却降温：溅射结束后，在真空中自然冷却降至室温；（j）取样品：向脉冲激光沉积设备外延室充气后，取出所得SnSb2Te4薄膜样品；步骤（g）中，使处于动态平衡的氩气压强为0.1Pa；步骤（h）中，所述脉冲激光为XeCl准分子脉冲激光，波长为308nm，脉宽为28ns；轰击到SnSb2Te4靶材上的能量密度为1.5mJcm2，频率为5Hz。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北大学，其通讯地址为：071002 河北省保定市五四东路180号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。