恭喜华南农业大学伍欣宙获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南农业大学申请的专利一种功能化ITO芯片材料及其在质谱中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118156119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410230694.1，技术领域涉及：H01J49/04；该发明授权一种功能化ITO芯片材料及其在质谱中的应用是由伍欣宙;殷志斌;徐汉虹;许逸翥;陈莹莹设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功能化ITO芯片材料及其在质谱中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米材料和质谱分析领域，更具体地，涉及一种功能化ITO芯片材料及其在质谱中的应用。本发明的功能化ITO芯片材料兼具有表面纳米结构和优异的光热转换效率，相比功能化处理前，芯片材料用于激光解吸电离质谱LDI‑MS分析中的解吸电离效率得到显著提高，可以作为表面辅助激光解吸电离的基材用于质谱分析形成的谱图中，可同时适用于正离子和负离子质谱检测模式，几乎无背景干扰mz500且谱图信噪比高，可用于分子量小于3000Da的小分子化合物质谱分析。
本发明授权一种功能化ITO芯片材料及其在质谱中的应用在权利要求书中公布了：1.一种功能化ITO芯片材料，其特征在于，按照如下方法制备得到：S1.将ITO芯片放置于容器中，加入有机溶剂和去离子水，形成分层，上层为水相，下层为有机相；S2.在上层水相中加入HCl溶液调节pH为2～4，下层有机相中注入溶于有机溶剂的四4-氯苯基硼酸四甲基铵；S3.将与有机溶剂混合后的经正电荷修饰的等离激元纳米结构材料加入上层和下层之间的界面中；S4.分别将COF的前驱体直接加入下层有机相中，充分反应，在上层和下层之间的界面中形成负载有所述等离激元纳米结构材料的COF膜；S5.使所述COF膜沉积在所述ITO芯片表面，得到所述功能化ITO芯片材料；所述COF的前驱体为具有拓扑对称性的芳香结构含醛类单体和具有拓扑对称性的芳香结构含氨类单体。
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