恭喜浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118547371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411019228.5，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉是由高冰;高洪海;吴吉龙设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉在说明书摘要公布了：本发明涉及物理气相法碳化硅生产领域，尤其涉及一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉，所述生长炉包括一个炉体以及炉盖，所述炉体内部设置有一空腔，所述空腔从下至上依次包括用于放置碳化硅粉源的粉源区以及用于输送碳化硅气体的自由流动区，所述自由流动区中心处竖向设置有一用于沉积碳化硅晶体的籽晶，所述自由流动区位于籽晶的两侧还分别设置有一个石墨体，从而将自由流动区分隔形成两个用于向籽晶的两侧同时生长单晶的环形气流通道。本发明通过采用竖向布置籽晶并在在自由流动区域增加两个石墨块从而在将晶体生长速率提升一倍的前提下，实现碳化硅晶体的均匀生长。
本发明授权一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉在权利要求书中公布了：1.一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉，其特征在于，包括一个炉体（1）以及炉盖（2），所述炉体（1）内部设置有一空腔（3），所述空腔（3）从下至上依次包括用于放置碳化硅粉源的粉源区（5）以及用于输送碳化硅气体的自由流动区（4），所述自由流动区（4）中心处竖向设置有一用于沉积碳化硅晶体的籽晶（6），所述自由流动区（4）位于籽晶（6）的两侧还分别设置有一个石墨体（7），从而将自由流动区（4）分隔形成两个用于向籽晶（6）的两侧同时生长单晶的环形气流通道（8），所述石墨体（7）底部面向炉体（1）的内壁设置有一条用于引导碳化硅气体流动的导流面（14）。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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